Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BSP149 L6906
- bsp149.l6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10v · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 660mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP149 E6906
- bsp149.e6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10v · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 660mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP135 E6906
- bsp135.e6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 146p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP135 E6327
- bsp135.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 146p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP130,115
- bsp130.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP129 L6906
- bsp129.l6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 108pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP129E6327T
- bsp129e6327t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 108pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP129E6327
- bsp129e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 108pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO4822
- bso4822
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1640
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP126,135
- bsp126.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 375mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Depleti
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO4420T
- bso4420t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2213pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP125 L6433
- bsp125.l6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP125 E6327
- bsp125.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP125 E6433
- bsp125.e6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP123E6327T
- bsp123e6327t
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 370mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 370mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 70pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP122,115
- bsp122.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 750mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 550mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Stand
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP110,115
- bsp110.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 520mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP100,135
- bsp100.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP030,115
- bsp030.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @ 24
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSO613SPV G
- bso613spv.g
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 875pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК