Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BSC130P03LS G
- bsc130p03ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 36
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC123N10LS G
- bsc123n10ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 71A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC123N08NS3 G
- bsc123n08ns3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1870pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC119N03S G
- bsc119n03s.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC118N10NS G
- bsc118n10ns.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 71A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC110N06NS3 G
- bsc110n06ns3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC106N025S G
- bsc106n025s.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC105N10LSF G
- bsc105n10lsf.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC094N03S G
- bsc094n03s.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC100N10NSF G
- bsc100n10nsf.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC100N06LS3 G
- bsc100n06ls3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC093N04LS G
- bsc093n04ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC019N02KS G
- bsc019n02ks.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 50A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nc @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC085N025S G
- bsc085n025s.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC084P03NS3E G
- bsc084p03ns3e.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC084P03NS3 G
- bsc084p03ns3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC082N10LS G
- bsc082n10ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC080P03LS G
- bsc080p03ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 122.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6140pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC079N10NS G
- bsc079n10ns.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5900p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC079N03SG
- bsc079n03sg
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2230pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК