Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BSF050N03LQ3 G
- bsf050n03lq3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSF024N03LT3 G
- bsf024n03lt3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC884N03MS G
- bsc884n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 85A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 85A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC889N03LS G
- bsc889n03ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC889N03MS G
- bsc889n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC886N03LS G
- bsc886n03ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2100pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC600N25NS3 G
- bsc600n25ns3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC883N03LS G
- bsc883n03ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 98A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC520N15NS3 G
- bsc520n15ns3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC340N08NS3 G
- bsc340n08ns3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 756pF @ 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC265N10LSF G
- bsc265n10lsf.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC205N10LS G
- bsc205n10ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC320N20NS3 G
- bsc320n20ns3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC252N10NSF G
- bsc252n10nsf.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC200P03LS G
- bsc200p03ls.g
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC196N10NS G
- bsc196n10ns.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.6 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC190N15NS3 G
- bsc190n15ns3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2420pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC152N10NSF G
- bsc152n10nsf.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 63A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC190N12NS3 G
- bsc190n12ns3.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC159N10LSF G
- bsc159n10lsf.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.9 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 63A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК