Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BSL211SP L6327
- bsl211sp.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 654p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL211SP
- bsl211sp
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 654p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL207SP L6327
- bsl207sp.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1007pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL207SP
- bsl207sp
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1007pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH207,135
- bsh207.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 12V 1.52A SOT457 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 9.6V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH205,215
- bsh205.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 12V 750MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 430mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 750mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 9.6V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH202,215
- bsh202.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 280mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 520mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 80pF @ 24V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH201,215
- bsh201.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 160mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 70pF @ 48V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH121,135
- bsh121.135
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 300MA SOT323 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 75mA, 2.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH112,235
- bsh112.235
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH114,215
- bsh114.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 850MA SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 850mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH111,235
- bsh111.235
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 335mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH111,215
- bsh111.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 335mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH108,215
- bsh108.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH105,235
- bsh105.235
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.05A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 152pF @ 16V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH105,215
- bsh105.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.05A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 152pF @ 16V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH103,235
- bsh103.235
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 850mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 83pF @ 24V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSH103,215
- bsh103.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 850mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 83pF @ 24V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSF083N03LQ G
- bsf083n03lq.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSF053N03LT G
- bsf053n03lt.g
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК