Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
APT8M100B
- apt8m100b
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1885pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT84M50L
- apt84m50l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 340nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13500pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT84M50B2
- apt84m50b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 340nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13500pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8024LLLG
- apt8024lllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 15.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8024LFLLG
- apt8024lfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 15.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8024B2LLG
- apt8024b2llg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 15.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 46
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8020LFLLG
- apt8020lfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8020B2LLG
- apt8020b2llg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT7M120B
- apt7m120b
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2565pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT7F80K
- apt7f80k
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1335pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT7F100B
- apt7f100b
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT7F120B
- apt7f120b
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2565pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75M50L
- apt75m50l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 290nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1160
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT75M50B2
- apt75m50b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 290nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11600pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT66M60L
- apt66m60l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 66A TO-264 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 131
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT6M100K
- apt6m100k
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1410pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT66M60B2
- apt66m60b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13190pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60N60BCSG
- apt60n60bcsg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7200pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60M80L2VRG
- apt60m80l2vrg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 32.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 590nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT60M75L2FLLG
- apt60m75l2fllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК