Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
APT60M75L2LLG
- apt60m75l2llg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT6013LLLG
- apt6013lllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 21.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT6017LLLG
- apt6017lllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT6017LFLLG
- apt6017lfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT6010B2LLG
- apt6010b2llg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 27A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6710
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT56M50L
- apt56m50l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8800pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT56M50B2
- apt56m50b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8800pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5F100K
- apt5f100k
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT56M60L
- apt56m60l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 56A TO-264 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11300pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5518BFLLG
- apt5518bfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 15.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 32
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT56M60B2
- apt56m60b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1130
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M65LFLLG
- apt50m65lfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 33.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 141nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 70
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M75B2LLG
- apt50m75b2llg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 57A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 559
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M65LLLG
- apt50m65lllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 33.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 141nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 70
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M65B2LLG
- apt50m65b2llg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 33.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 141nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 701
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT50M65B2FLLG
- apt50m65b2fllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 33.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 141nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 701
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5024BLLG
- apt5024bllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5018BLLG
- apt5018bllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5016BLLG
- apt5016bllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2833
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5016BFLLG
- apt5016bfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2833
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК