Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
APT5014SLLG
- apt5014sllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 326
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5014BLLG
- apt5014bllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 32
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5010LFLLG
- apt5010lfllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4360
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5010LLLG
- apt5010lllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4360
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT44F80L
- apt44f80l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9330pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5010B2LLG
- apt5010b2llg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4360p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT5010B2FLLG
- apt5010b2fllg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Серия: POWER MOS 7® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4360p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT4M120K
- apt4m120k
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1385pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT4F120K
- apt4f120k
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1385pF @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT48M80L
- apt48m80l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9330pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT48M80B2
- apt48m80b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9330
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT47N60SC3G
- apt47n60sc3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7015pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT44F80B2
- apt44f80b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 44A T-MAX Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9330
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT43M60B2
- apt43m60b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 43A T-MAX Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 215nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5890
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT43M60L
- apt43m60l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 215nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 589
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT42F50B
- apt42f50b
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 42A TO-247 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 681
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT41M80L
- apt41m80l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 807
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT41M80B2
- apt41m80b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8070
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT40M70LVFRG
- apt40m70lvfrg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 495nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT38F80L
- apt38f80l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 807
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК