Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
APT37M100B2
- apt37m100b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9835pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT37F50B
- apt37f50b
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5710pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT34N80B2C3G
- apt34n80b2c3g
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 355nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4510pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT34F60BG
- apt34f60bg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 664
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT34M60B
- apt34m60b
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 664
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT34F100L
- apt34f100l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 34A TO-264 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9835pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT34F100B2
- apt34f100b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 34A T-MAX Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT31N60BCSG
- apt31n60bcsg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 31A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3055pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT30M85BVFRG
- apt30m85bvfrg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 49
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT31M100L
- apt31m100l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 31A TO-264 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT31M100B2
- apt31m100b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 31A T-MAX Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT30M85BVRG
- apt30m85bvrg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 49
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT30M70SVRG
- apt30m70svrg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 587
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT30M70BVRG
- apt30m70bvrg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 58
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT30M70BVFRG
- apt30m70bvfrg
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 Серия: POWER MOS V® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 58
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT29F100L
- apt29f100l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 29A TO-264 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8500pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT30F50B
- apt30f50b
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 452
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT29F100B2
- apt29f100b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1000V 29A T-MAX Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT28M120B2
- apt28m120b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 28A T-MAX Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9670pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT28M120L
- apt28m120l
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 28A TO-264 Серия: POWER MOS 8™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК