Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
TPCA8003-H(TE12LQM
- tpca8003.h.te12lqm
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1465pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8A04-H(TE12L,Q)
- tpc8a04.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8A03-H(TE12LQM)
- tpc8a03.h.te12lqm
- Toshiba
- MOSFET N-CH SBD 17A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3430pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8A02-H(TE12L,Q)
- tpc8a02.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH SBD 16A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1970pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8118(TE12L,Q,M)
- tpc8118.te12l.q.m
- Toshiba
- MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8117(TE12L,Q)
- tpc8117.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8115(TE12L,Q,M)
- tpc8115.te12l.q.m
- Toshiba
- MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9130pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8113(TE12L,Q)
- tpc8113.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8112(TE12L,Q)
- tpc8112.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET P-CH 30V 13A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5880pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8111(TE12L,Q,M)
- tpc8111.te12l.q.m
- Toshiba
- MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5710pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8110(TE12L,Q,M)
- tpc8110.te12l.q.m
- Toshiba
- MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2180pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8051-H(TE12L,Q)
- tpc8051.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8048-H(TE12L,Q)
- tpc8048.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8045-H(TE12L,QM
- tpc8045.h.te12l.qm
- Toshiba
- MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOP Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8042(TE12L,Q,M)
- tpc8042.te12l.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 10V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8038-H(TE12L,Q)
- tpc8038.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8037-H(TE12L,Q)
- tpc8037.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8036-H(TE12L,QM
- tpc8036.h.te12l.qm
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8035-H(TE12L,QM
- tpc8035.h.te12l.qm
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7800pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8033-H(TE12LQM)
- tpc8033.h.te12lqm
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 2-6J1B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК