Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
TPC8032-H(TE12LQM)
- tpc8032.h.te12lqm
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2846pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8031-H(TE12LQM)
- tpc8031.h.te12lqm
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 10V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8031-H(TE12L,Q)
- tpc8031.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 10V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8026(TE12L,Q,M)
- tpc8026.te12l.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8022-H(TE12LQ,M
- tpc8022.h.te12lq.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8021-H(TE12LQ,M
- tpc8021.h.te12lq.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8020-H(TE12L,Q)
- tpc8020.h.te12l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 13A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1395pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8018-H(TE12LQM)
- tpc8018.h.te12lqm
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2265pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC8014(TE12L,Q,M)
- tpc8014.te12l.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1860pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC6107(TE85L,F,M)
- tpc6107.te85l.f.m
- Toshiba
- MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC6104(TE85L,F,M)
- tpc6104.te85l.f.m
- Toshiba
- MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC6103(TE85L,F,M)
- tpc6103.te85l.f.m
- Toshiba
- MOSFET P-CH 12V 5.5A VS6 2-3T1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1520pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TPC6006-H(TE85L,F)
- tpc6006.h.te85l.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 251pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK6A60D(STA4,Q,M)
- tk6a60d.sta4.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 6A TO-220F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK5A50D(STA4,Q,M)
- tk5a50d.sta4.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 500V 5A SC-67 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK5A50D(Q,M)
- tk5a50d.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 500V 5A SC-67 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK20X60U(TE24L,Q)
- tk20x60u.te24l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 20A TFP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1470pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK20A60U(Q,M)
- tk20a60u.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1470pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK15X60U(TE24L,Q)
- tk15x60u.te24l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 15A TFP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK15J60U(F)
- tk15j60u.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 15A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК