Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
TK15A50D(Q,M)
- tk15a50d.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 500V 15A SC-67 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK13A60D(STA4,Q,M)
- tk13a60d.sta4.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 13A TO-220F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK12X60U(TE24L,Q)
- tk12x60u.te24l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 12A TFP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 720pF @ 10V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK12J60U(F)
- tk12j60u.f
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 720pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK10A60D(STA4,Q,M)
- tk10a60d.sta4.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TK10A60D(Q,M)
- tk10a60d.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 600V 10A SC-67 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD50P06-15-GE3
- sud50p06.15.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 50A TO-252 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4950pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD50N04-8M8P-4GE3
- sud50n04.8m8p.4ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD23N06-31-GE3
- sud23n06.31.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 9.1A TO-252 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD19P06-60-GE3
- sud19p06.60.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW55NM50N
- stw55nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 54A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 27A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW30NM50N
- stw30nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2740pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW27NM60ND
- stw27nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 160W · Mounti
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW24NK55Z
- stw24nk55z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 550V 23A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 439
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW20NM65N
- stw20nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 19A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW19NM65N
- stw19nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW14NM65N
- stw14nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW13NM50N
- stw13nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 12A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW12NM60N
- stw12nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STV270N4F3
- stv270n4f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 270A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК