Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IXTP44N25T

IXTP44N25T

  • ixtp44n25t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 250V 44A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP44N15T

IXTP44N15T

  • ixtp44n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 44A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP44N10T

IXTP44N10T

  • ixtp44n10t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 44A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1262pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP42N25P

IXTP42N25P

  • ixtp42n25p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 250V 42A TO-220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP42N15T

IXTP42N15T

  • ixtp42n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 42A TO-220 Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1880pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP3N50D2

IXTP3N50D2

  • ixtp3n50d2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 3A TO200AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1070pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP3N110

IXTP3N110

  • ixtp3n110
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP3N100P

IXTP3N100P

  • ixtp3n100p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 110

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP3N100D2

IXTP3N100D2

  • ixtp3n100d2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP38N15T

IXTP38N15T

  • ixtp38n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 38A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP36P15P

IXTP36P15P

  • ixtp36p15p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 150V 36A TO-220 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP36N30T

IXTP36N30T

  • ixtp36n30t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP36N30P

IXTP36N30P

  • ixtp36n30p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP36N20T

IXTP36N20T

  • ixtp36n20t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 36A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP32P05T

IXTP32P05T

  • ixtp32p05t
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 50V 32A TO-220 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1975pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP32N20T

IXTP32N20T

  • ixtp32n20t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 32A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1760pF @ 25V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP300N04T2

IXTP300N04T2

  • ixtp300n04t2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 40V 300A TO-220 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1070

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP2R4N120P

IXTP2R4N120P

  • ixtp2r4n120p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP2N80P

IXTP2N80P

  • ixtp2n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTP2N80

IXTP2N80

  • ixtp2n80
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь