Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IXTP76P10T

  • ixtp76p10t
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 100V 76A TO-220 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 197nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13700p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP76N25T

  • ixtp76n25t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 250V 76A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Polari

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP74N15T

  • ixtp74n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 74A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP72N20T

  • ixtp72n20t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 72A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP70N075T2

  • ixtp70n075t2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 75V 70A TO-220 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2725pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP6N50D2

  • ixtp6n50d2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3A, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 25V · FET Polarity: N

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP6N100D2

  • ixtp6n100d2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 3A, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2650pF @ 25V · FET Pola

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP64N055T

  • ixtp64n055t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1420pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP62N15P

  • ixtp62n15p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 62A TO-220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP56N15T

  • ixtp56n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 56A TO-220 Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP55N075T

  • ixtp55n075t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 75V 55A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP54N30T

  • ixtp54n30t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 54A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP52P10P

  • ixtp52p10p
  • IXYS
  • MOSFET P-CH 100V 52A TO-220 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2845pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP50N25T

  • ixtp50n25t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 25V · FET Polari

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP50N20PM

  • ixtp50n20pm
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2720pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP50N20P

  • ixtp50n20p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 50A TO-220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2720pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP50N085T

  • ixtp50n085t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1460pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP4N80P

  • ixtp4n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP48N20T

  • ixtp48n20t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 48A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXTP44N30T

  • ixtp44n30t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 44A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь