Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTQ130N10T
- ixtq130n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ120N20P
- ixtq120n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ120N15T
- ixtq120n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4900p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ120N15P
- ixtq120n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4900p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ110N10P
- ixtq110n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3550p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ110N055P
- ixtq110n055p
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ10P50P
- ixtq10p50p
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ102N25T
- ixtq102n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ102N20T
- ixtq102n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 102A TO3P Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTQ102N15T
- ixtq102n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5220pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP98N075T
- ixtp98n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 98A TO-220 Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 98A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 200W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP96P085T
- ixtp96p085t
- IXYS
- MOSFET P-CH 85V 96A TO-220 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 96A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP90N15T
- ixtp90n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 90A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4100pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP90N075T2
- ixtp90n075t2
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 90A TO-220 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP90N055T2
- ixtp90n055t2
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2770pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP8N50PM
- ixtp8n50pm
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1050pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP88N085T
- ixtp88n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 88A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3140pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP86N20T
- ixtp86n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 86A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 86A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP80N10T
- ixtp80n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3040pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP7N60PM
- ixtp7n60pm
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК