Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFX26N120P
- ixfx26n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX26N100P
- ixfx26n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 197nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX260N17T
- ixfx260n17t
- IXYS
- MOSFET N-CH 260A 170V PLUS247 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 170V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 260A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX25N90
- ixfx25n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 108
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX24N90Q
- ixfx24n90q
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 59
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX24N100
- ixfx24n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 267nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX230N20T
- ixfx230n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 230A 200V PLUS247 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 378nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX21N100Q
- ixfx21n100q
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX210N17T
- ixfx210n17t
- IXYS
- MOSFET N-CH 210A 170V PLUS247 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 170V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 285nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX20N120P
- ixfx20n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 193nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX20N120
- ixfx20n120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Cis
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX180N25T
- ixfx180n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 180A 250V PLUS247 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 345nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX180N15P
- ixfx180n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 180A PLUS 247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX180N085
- ixfx180n085
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 320nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9100p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX170N20T
- ixfx170n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX170N20P
- ixfx170n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH PLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11400pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX160N30T
- ixfx160n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 160A 300V PLUS247 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 335nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX150N15
- ixfx150n15
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX14N100
- ixfx14n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX140N30P
- ixfx140n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 140A PLUS 247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК