Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXKR40N60C
- ixkr40n60c
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKP24N60C5M
- ixkp24n60c5m
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKP24N60C5
- ixkp24n60c5
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKP20N60C5M
- ixkp20n60c5m
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1520p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKP13N60C5M
- ixkp13n60c5m
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKP13N60C5
- ixkp13n60c5
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKP10N60C5M
- ixkp10n60c5m
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 79
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKP10N60C5
- ixkp10n60c5
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKK85N60C
- ixkk85n60c
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 55A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 650nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 85A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKH47N60C
- ixkh47n60c
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 650nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKH30N60C5
- ixkh30n60c5
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKH20N60C5
- ixkh20n60c5
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1520pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKG25N80C
- ixkg25n80c
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 166nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKF40N60SCD1
- ixkf40n60scd1
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKC40N60C
- ixkc40n60c
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 28A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKC25N80C
- ixkc25n80c
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKC23N60C5
- ixkc23n60c5
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKC20N60C
- ixkc20n60c
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKC19N60C5
- ixkc19n60c5
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKC15N60C5
- ixkc15n60c5
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК