Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXKC13N80C
- ixkc13n80c
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX88N20Q
- ixfx88n20q
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 146nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX73N30Q
- ixfx73n30q
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX66N50Q2
- ixfx66n50q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX62N25
- ixfx62n25
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 62A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX60N55Q2
- ixfx60n55q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX52N60Q2
- ixfx52n60q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 198nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX44N80P
- ixfx44n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 198nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX44N55Q
- ixfx44n55q
- IXYS
- MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX44N50Q
- ixfx44n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX40N90P
- ixfx40n90p
- IXYS
- MOSFET N-CH PLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14000pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX38N80Q2
- ixfx38n80q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 834
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX32N80P
- ixfx32n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX32N50Q
- ixfx32n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 395
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX32N100P
- ixfx32n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX30N50Q
- ixfx30n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 395
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX30N110P
- ixfx30n110p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX27N80Q
- ixfx27n80q
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 76
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX26N90
- ixfx26n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX26N60Q
- ixfx26n60q
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 51
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК