Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IXFR55N50

IXFR55N50

  • ixfr55n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 27.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR52N30Q

IXFR52N30Q

  • ixfr52n30q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247 Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS247™

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR50N50

IXFR50N50

  • ixfr50n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 94

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR4N100Q

IXFR4N100Q

  • ixfr4n100q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR48N50Q

IXFR48N50Q

  • ixfr48n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 70

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR44N50Q

IXFR44N50Q

  • ixfr44n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 70

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR40N90P

IXFR40N90P

  • ixfr40n90p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14000pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR38N80Q2

IXFR38N80Q2

  • ixfr38n80q2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 83

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR32N80P

IXFR32N80P

  • ixfr32n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR32N50Q

IXFR32N50Q

  • ixfr32n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 39

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR32N100P

IXFR32N100P

  • ixfr32n100p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR30N50Q

IXFR30N50Q

  • ixfr30n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 39

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR30N110P

IXFR30N110P

  • ixfr30n110p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR27N80Q

IXFR27N80Q

  • ixfr27n80q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR26N60Q

IXFR26N60Q

  • ixfr26n60q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 51

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR26N50Q

IXFR26N50Q

  • ixfr26n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 390

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR26N50

IXFR26N50

  • ixfr26n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR26N120P

IXFR26N120P

  • ixfr26n120p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR26N100P

IXFR26N100P

  • ixfr26n100p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 197nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR25N90

IXFR25N90

  • ixfr25n90
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247 Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS247™

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь