Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IXFR140N20P

IXFR140N20P

  • ixfr140n20p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR13N50

IXFR13N50

  • ixfr13n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 13A ISOPLUS247 Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS247™

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR12N120P

IXFR12N120P

  • ixfr12n120p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS247™

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR12N100Q

IXFR12N100Q

  • ixfr12n100q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR10N100Q

IXFR10N100Q

  • ixfr10n100q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR102N30P

IXFR102N30P

  • ixfr102n30p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 51A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFR100N25

IXFR100N25

  • ixfr100n25
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 87A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFQ26N50Q

IXFQ26N50Q

  • ixfq26n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFQ26N50

IXFQ26N50

  • ixfq26n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFQ24N50Q

IXFQ24N50Q

  • ixfq24n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFQ23N60Q

IXFQ23N60Q

  • ixfq23n60q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TO-268

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFQ21N50Q

IXFQ21N50Q

  • ixfq21n50q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFQ14N80P

IXFQ14N80P

  • ixfq14n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3900pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFQ12N80P

IXFQ12N80P

  • ixfq12n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P Серия: PolarVHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFQ10N80P

IXFQ10N80P

  • ixfq10n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFP8N50PM

IXFP8N50PM

  • ixfp8n50pm
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1050pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFP7N80PM

IXFP7N80PM

  • ixfp7n80pm
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1890p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFP7N80P

IXFP7N80P

  • ixfp7n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1890pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFP7N100P

IXFP7N100P

  • ixfp7n100p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 259

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXFP5N50PM

IXFP5N50PM

  • ixfp5n50pm
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 620p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь