Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFR24N90Q
- ixfr24n90q
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247 Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS247™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR24N80P
- ixfr24n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 720
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR24N50Q
- ixfr24n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 390
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR24N50
- ixfr24n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR21N100Q
- ixfr21n100q
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR20N80P
- ixfr20n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4680
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR20N120P
- ixfr20n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 193nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR20N100P
- ixfr20n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 126nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR200N10P
- ixfr200n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 133A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR180N15P
- ixfr180n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 70
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR180N085
- ixfr180n085
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 320nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 91
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR180N07
- ixfr180n07
- IXYS
- MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 420nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 94
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR180N06
- ixfr180n06
- IXYS
- MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 420nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7650
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR16N80P
- ixfr16n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH ISOPLUS247 FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS247™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR16N120P
- ixfr16n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04 Ohm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR15N80Q
- ixfr15n80q
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 43
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR15N100P
- ixfr15n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247 Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS247™
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR150N15
- ixfr150n15
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 105A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR14N100Q2
- ixfr14n100q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 83nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR140N30P
- ixfr140n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК