Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFK21N100Q
- ixfk21n100q
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK210N17T
- ixfk210n17t
- IXYS
- MOSFET N-CH 210A 170V TO-264 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 170V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 285nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK20N80Q
- ixfk20n80q
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 20A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 51
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK20N120P
- ixfk20n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 193nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK20N120
- ixfk20n120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK200N10P
- ixfk200n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK180N25T
- ixfk180n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 180A 250V TO-264 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 345nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK180N15P
- ixfk180n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK180N07
- ixfk180n07
- IXYS
- MOSFET N-CH 70V 180A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 420nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK170N20T
- ixfk170n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 170A 200V TO-264 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK170N20P
- ixfk170n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 170A TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11400p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK170N10P
- ixfk170n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 198nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK170N10
- ixfk170n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 515nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK16N90Q
- ixfk16n90q
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 16A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK160N30T
- ixfk160n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 160A 300V TO-264 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 335nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK15N100Q
- ixfk15n100q
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 15A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK150N15P
- ixfk150n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK150N10
- ixfk150n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK140N30P
- ixfk140n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK140N25T
- ixfk140n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 140A TO264 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 255nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК