Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFK44N55Q
- ixfk44n55q
- IXYS
- MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK40N90P
- ixfk40n90p
- IXYS
- MOSFET N-CH TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14000pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK38N80Q2
- ixfk38n80q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8340
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK33N50
- ixfk33n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 227nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 57
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK32N80P
- ixfk32n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK32N60
- ixfk32n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 325nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK32N50Q
- ixfk32n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 32A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3950
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK32N100P
- ixfk32n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK30N110P
- ixfk30n110p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK30N100Q2
- ixfk30n100q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 186nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK27N80Q
- ixfk27n80q
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 27A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK26N90
- ixfk26n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 26A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK26N60Q
- ixfk26n60q
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 26A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK26N100P
- ixfk26n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 197nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK260N17T
- ixfk260n17t
- IXYS
- MOSFET N-CH 260A 170V TO-264 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 170V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 260A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK25N90
- ixfk25n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 25A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK250N10P
- ixfk250n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 205nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 16000pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK24N90Q
- ixfk24n90q
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 24A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK24N80P
- ixfk24n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 24A TO-264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFK230N20T
- ixfk230n20t
- IXYS
- MOSFET N-CH 230A 200V TO-264 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 378nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК