Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFK140N20P
- ixfk140n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK120N30T
- ixfk120n30t
- IXYS
- MOSFET N-CH 120A 300V TO-264 Серия: GigaMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK120N25P
- ixfk120n25p
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK120N25
- ixfk120n25
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK120N20P
- ixfk120n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK102N30P
- ixfk102n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 224nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK100N25
- ixfk100n25
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK100N10
- ixfk100n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFJ40N30
- ixfj40n30
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFJ32N50Q
- ixfj32n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 32A TO-220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 153nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3950
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFI7N80P
- ixfi7n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1890pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFH8N80
- ixfh8n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 8A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFH88N30P
- ixfh88n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 88A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFH88N20Q
- ixfh88n20q
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 88A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 146nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 88A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFH80N08
- ixfh80n08
- IXYS
- MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFH80N06
- ixfh80n06
- IXYS
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFH6N120
- ixfh6n120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFH69N30P
- ixfh69n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 69A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 69A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4960pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFH67N10
- ixfh67n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 67A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFH60N25Q
- ixfh60n25q
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК