Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IXFH10N100P

  • ixfh10n100p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH102N15T

  • ixfh102n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFH100N25P

  • ixfh100n25p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFG55N50

  • ixfg55n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 27.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9400p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC96N15P

  • ixfc96n15p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 48A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 42A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC80N10

  • ixfc80n10
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC80N085

  • ixfc80n085
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC80N08

  • ixfc80n08
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC74N20P

  • ixfc74n20p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 107nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC60N20

  • ixfc60n20
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC52N30P

  • ixfc52n30p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3490

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC40N30Q

  • ixfc40n30q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220 Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPLUS220™

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC26N50

  • ixfc26n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC24N50

  • ixfc24n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC20N80P

  • ixfc20n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4680

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC15N80Q

  • ixfc15n80q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC14N80P

  • ixfc14n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3900pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC13N50

  • ixfc13n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC12N80P

  • ixfc12n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFC110N10P

  • ixfc110n10p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 55A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3550

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь