Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFC10N80P
- ixfc10n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220 Серия: PolarHV™ · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 100W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: ISOPL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB82N60P
- ixfb82n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 82A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB72N55Q2
- ixfb72n55q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 258nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 72A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1050
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB70N60Q2
- ixfb70n60q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB60N80P
- ixfb60n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB52N90P
- ixfb52n90p
- IXYS
- MOSFET N-CH TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 308nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 19000pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB44N100P
- ixfb44n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB40N110P
- ixfb40n110p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 310nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB38N100Q2
- ixfb38n100q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB30N120Q2
- ixfb30n120q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB30N120P
- ixfb30n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 Серия: PolarVHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 310nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB300N10P
- ixfb300n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 279nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB210N20P
- ixfb210n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 255nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 186
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFB170N30P
- ixfb170n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH TO-264 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 258nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20000pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA7N80P
- ixfa7n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1890pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA7N100P
- ixfa7n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2590
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA4N100Q
- ixfa4n100q
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA4N100P
- ixfa4n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1456
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA3N80
- ixfa3n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 685p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA3N120
- ixfa3n120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК