Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFH16N80P
- ixfh16n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 16A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH16N120P
- ixfh16n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH160N15T
- ixfh160n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH15N100Q
- ixfh15n100q
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH15N100P
- ixfh15n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 97nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH14N100Q2
- ixfh14n100q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 83nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH14N100
- ixfh14n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH140N10P
- ixfh140n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 140A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH12N90P
- ixfh12n90p
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH12N120P
- ixfh12n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 103nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH12N120
- ixfh12n120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH12N100Q
- ixfh12n100q
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH12N100P
- ixfh12n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH120N20P
- ixfh120n20p
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 120A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH120N15P
- ixfh120n15p
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 120A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH110N25T
- ixfh110n25t
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 157nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH110N15T2
- ixfh110n15t2
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH110N10P
- ixfh110n10p
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3550
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH10N80P
- ixfh10n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFH10N100Q
- ixfh10n100q
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК