Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IRF1324STRLPBF

IRF1324STRLPBF

  • irf1324strlpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 195A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7590pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF1324LPBF

IRF1324LPBF

  • irf1324lpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 24V 195A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 195A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7590pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRF1010EZSTRLP

IRF1010EZSTRLP

  • irf1010ezstrlp
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2810pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU78CN10N G

IPU78CN10N G

  • ipu78cn10n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 716pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPU64CN10N G

IPU64CN10N G

  • ipu64cn10n.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 569pF @ 5

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPP47N10S-33

IPP47N10S-33

  • ipp47n10s.33
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 33A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPP096N03L G

IPP096N03L G

  • ipp096n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 35A TO-220-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPP042N03L G

IPP042N03L G

  • ipp042n03l.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3900pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPD30N03S4L-09

IPD30N03S4L-09

  • ipd30n03s4l.09
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1520pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPD053N08N3 G

IPD053N08N3 G

  • ipd053n08n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4750pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB80N06S2L-05

IPB80N06S2L-05

  • ipb80n06s2l.05
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5700pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

  • ipb097n08n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB072N15N3 G

IPB072N15N3 G

  • ipb072n15n3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5470

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IPB016N06L3 G

IPB016N06L3 G

  • ipb016n06l3.g
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 166nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUFA76645S3ST_F085

HUFA76645S3ST_F085

  • hufa76645s3st.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 153nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4400pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUFA76609D3ST_F085

HUFA76609D3ST_F085

  • hufa76609d3st.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 425pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUFA76429D3ST_F085

HUFA76429D3ST_F085

  • hufa76429d3st.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUFA75344P3_F085

HUFA75344P3_F085

  • hufa75344p3.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3200pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF75637S3_NR4895

HUF75637S3_NR4895

  • huf75637s3.nr4895
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 108nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для HUF75307D3

HUF75307D3

  • huf75307d3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 55V 15A IPAK Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь