Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
HTNFET-T
- htnfet.t
- Honeywell Microelectronics & P
- MOSFET N-CHANNEL 55V 4-PIN Серия: HTMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.3nC @ 5V · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @ 28V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Stand
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HTNFET-D
- htnfet.d
- Honeywell Microelectronics & P
- MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP Серия: HTMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.3nC @ 5V · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @ 28V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Stand
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HAT2183WP
- hat2183wp
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 150V 20A 8WPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HAT2174H
- hat2174h
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2280pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HAT2141H-EL-E
- hat2141h.el.e
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3200pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSS804-TL-E
- fss804.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH DUAL 30V 14A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSS275-TL-E
- fss275.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH DUAL 60V 6A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSS273-TL-E
- fss273.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH DUAL 45V 8A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 45V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2225pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FSS264-TL-E
- fss264.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH DUAL 100V 4A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1560pF @ 20V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FS70SM-06#B00
- fs70sm.06.b00
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 60V 70A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6540pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU7P20TU_AM002
- fqu7p20tu.am002
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU7P06TU_NB82048
- fqu7p06tu.nb82048
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU6N40CTU_NBEA001
- fqu6n40ctu.nbea001
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU4N50TU_WS
- fqu4n50tu.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU2N90TU_WS
- fqu2n90tu.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 850mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU2N90TU_AM002
- fqu2n90tu.am002
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 850mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU2N50BTU_WS
- fqu2n50btu.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 Ohm @ 800mA , 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU13N06LTU_WS
- fqu13n06ltu.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 11A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU10N20TU_AM002
- fqu10n20tu.am002
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT1N80TF_WS
- fqt1n80tf.ws
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 195pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК