Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQD7P20TM_F080

FQD7P20TM_F080

  • fqd7p20tm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7P06TM_NB82050

FQD7P06TM_NB82050

  • fqd7p06tm.nb82050
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7P06TM_F080

FQD7P06TM_F080

  • fqd7p06tm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD7N20TM_F080

FQD7N20TM_F080

  • fqd7n20tm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD6N50CTM_F080

FQD6N50CTM_F080

  • fqd6n50ctm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5P20TM_F080

FQD5P20TM_F080

  • fqd5p20tm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N60CTM_F080

FQD5N60CTM_F080

  • fqd5n60ctm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD5N50CTM_F080

FQD5N50CTM_F080

  • fqd5n50ctm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4P25TM_WS

FQD4P25TM_WS

  • fqd4p25tm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4N50TM_WS

FQD4N50TM_WS

  • fqd4n50tm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD4N25TM_WS

FQD4N25TM_WS

  • fqd4n25tm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 3A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD3N60CTM_WS

FQD3N60CTM_WS

  • fqd3n60ctm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 565pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD30N06TF_F080

FQD30N06TF_F080

  • fqd30n06tf.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 11.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 945pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2P40TF_F080

FQD2P40TF_F080

  • fqd2p40tf.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 780mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N80TM_WS

FQD2N80TM_WS

  • fqd2n80tm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N60CTF_F080

FQD2N60CTF_F080

  • fqd2n60ctf.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD19N10TM_F080

FQD19N10TM_F080

  • fqd19n10tm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD16N25CTM_F080

FQD16N25CTM_F080

  • fqd16n25ctm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 16A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD13N10LTM_NBEL001

FQD13N10LTM_NBEL001

  • fqd13n10ltm.nbel001
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 10A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD12N20TM_F080

FQD12N20TM_F080

  • fqd12n20tm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь