Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
ATP405-TL-H
- atp405.tl.h
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 20V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ATP208-TL-H
- atp208.tl.h
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 83nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4510pF @ 20V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT38F80B2
- apt38f80b2
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8070pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT34F60B
- apt34f60b
- Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6640pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
6LN04SS-TL-H
- 6ln04ss.tl.h
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 60V 0.2A SSFP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 100mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 26pF @ 20V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
5X49_BG7002B
- 5x49.bg7002b
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V SOT-23 Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK669-AC
- 2sk669.ac
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 50V 100MA SPA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK536-TB-E
- 2sk536.tb.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 50V 100MA CP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 50V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 15pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4181-TL-E
- 2sk4181.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 525V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 30V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4171
- 2sk4171
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6900pF @ 20V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4097LS
- 2sk4097ls
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 500V 9.5A TO-220FI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 30V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4096LS
- 2sk4096ls
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 30V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4094
- 2sk4094
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12500pF @ 20V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4084LS
- 2sk4084ls
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 30V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4073LS
- 2sk4073ls
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH 60V 90A TO-220FI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12500pF @ 20V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK4034(TE24L,Q)
- 2sk4034.te24l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 60V 75A SC-97 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 38A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 196nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12400pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3940(Q)
- 2sk3940.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 75V 70A SC-67 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12500pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3907(Q)
- 2sk3907.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 500V 23A SC-65 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4250pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3879(TE24L,Q)
- 2sk3879.te24l.q
- Toshiba
- MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3868(Q,M)
- 2sk3868.q.m
- Toshiba
- MOSFET N-CH 500V 5A SC-67 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК