Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BSS205N L6327
- bss205n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 419pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS169 E6327
- bss169.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 7V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR802N L6327
- bsr802n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 2.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1447pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR302N L6327
- bsr302n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSR202N L6327
- bsr202n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1147pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP92P L6327
- bsp92p.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 250V 260MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 260mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 104
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP89 L6327
- bsp89.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP89 E6327
- bsp89.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 140p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP88 L6327
- bsp88.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 95pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP373 L6327
- bsp373.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP372 L6327
- bsp372.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP320S L6327
- bsp320s.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 340pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP315P L6327
- bsp315p.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP315P-E6327
- bsp315p.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP304A,126
- bsp304a.126
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 300V 170MA SOT54 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 Ohm @ 170mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 90pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Le
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP300 L6327
- bsp300.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP297 L6327
- bsp297.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10v · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 660mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP297 E6327
- bsp297.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10v · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 660mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP296 L6327
- bsp296.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 364
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP295 L6327
- bsp295.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 368pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК