Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BSP171P L6327
- bsp171p.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP149 L6327
- bsp149.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10v · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 660mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP149 E6327
- bsp149.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10v · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 660mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP135 L6906
- bsp135.l6906
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 146p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP135 L6433
- bsp135.l6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 146
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP135 L6327
- bsp135.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 146p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP129 L6327
- bsp129.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 108pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSP125 L6327
- bsp125.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL802SN L6327
- bsl802sn.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 2.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1347pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL302SN L6327
- bsl302sn.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL202SN L6327
- bsl202sn.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1147p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSF045N03MQ3 G
- bsf045n03mq3.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 63A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSD316SN L6327
- bsd316sn.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 94pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSD214SN L6327
- bsd214sn.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 143pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC883N03MS G
- bsc883n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 98A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSC882N03MS G
- bsc882n03ms.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS870-7-F
- bs870.7.f
- Diodes Inc
- MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS7067N06LS3G
- bs7067n06ls3g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS170_J35Z
- bs170.j35z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BS108/01,126
- bs108.01.126
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 2.8V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК