Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
ZXMP6A13FTA
- zxmp6a13fta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 219pF @ 30V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP4A16KTC
- zxmp4a16ktc
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CHAN 40V DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 965pF @ 20V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP4A57E6TA
- zxmp4a57e6ta
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP3F37N8TA
- zxmp3f37n8ta
- Diodes Inc. / Zetex
- Circuits intgrs de visseuses lectriques 30V P-Channel MOSFET 20V VGS 039.5A IDM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP4A16GTA
- zxmp4a16gta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1007pF @ 20V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP3F35N8TA
- zxmp3f35n8ta
- Diodes Incorporated
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SO8 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP3F36N8TA
- zxmp3f36n8ta
- Diodes Incorporated
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SO8 3K
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP3F30FHTA
- zxmp3f30fhta
- Diodes Incorporated
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности 30V P-Channel MOSFET 20V VGS -15.3A IDM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP3A16GTA
- zxmp3a16gta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1022pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP3A17E6TA
- zxmp3a17e6ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP3A16N8TA
- zxmp3a16n8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1022pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP3A13FTA
- zxmp3a13fta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 206pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP2120G4TA
- zxmp2120g4ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 200V 200MA SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP2120FFTA
- zxmp2120ffta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 Ohm @ 150mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 137mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Leve
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP2120E5TA
- zxmp2120e5ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 200V 122MA SOT23-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 Ohm @ 150mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 122mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100pF @ 25V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP10A18KTC
- zxmp10a18ktc
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CHAN 100V DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1055pF @ 50V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP10A18GTA
- zxmp10a18gta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 100V 3.7A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1055pF @ 50V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP10A17E6TA
- zxmp10a17e6ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH TRENCH -100V SOT23-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 424pF @ 50V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP10A17GTA
- zxmp10a17gta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CHAN 100V SOT223 Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1ZXMP10A13FTA
- zxmp10a13fta
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 100V 700MA SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 600mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 141pF @ 50V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК