Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
ZXMP10A18K
- zxmp10a18k
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CHAN 100V DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1055pF @ 50V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMP10A16KTC
- zxmp10a16ktc
- Diodes/Zetex
- MOSFET P-CH 100V DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 2.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 717pF @ 50V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMNS3BM832TA
- zxmns3bm832ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET/SCHOTTKY30V/40V 8-MLP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nc @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 314pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN7A11KTC
- zxmn7a11ktc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 298pF @ 40V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN7A11GTA
- zxmn7a11gta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 70V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 298pF @ 40V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A25GTA
- zxmn6a25gta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1063pF @ 30V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A11ZTA
- zxmn6a11zta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @ 40V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A25KTC
- zxmn6a25ktc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1063pF @ 30V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A25N8TA
- zxmn6a25n8ta
- Diodes Incorporated
- N-CHANNEL 60V MOSFET (UMOS)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A25K
- zxmn6a25k
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 60V DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1063pF @ 30V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A11GTA
- zxmn6a11gta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @ 40V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A11GTC
- zxmn6a11gtc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 60V SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @ 40V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A25G
- zxmn6a25g
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 60V SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1063pF @ 30V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A08GTA
- zxmn6a08gta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 459pF @ 40V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A09KTC
- zxmn6a09ktc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 7.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1426pF @ 30V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A10N8TA
- zxmn6a10n8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 2.5W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A09GTA
- zxmn6a09gta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1407pF @ 40V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A08E6TC
- zxmn6a08e6tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 60V SOT23-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 459pF @ 40V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A08E6TA
- zxmn6a08e6ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT-23-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 459pF @ 40V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A07ZTA
- zxmn6a07zta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 166pF @ 40V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК