Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
ZXMN3F30FHTA
- zxmn3f30fhta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 318pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A07FTC
- zxmn6a07ftc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 166pF @ 40V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN4A06KTC
- zxmn4a06ktc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 827pF @ 20V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN6A07FTA
- zxmn6a07fta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 166pF @ 40V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN4A06GTA
- zxmn4a06gta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @ 40V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3B14FTA
- zxmn3b14fta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 30V 3.5A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 568pF @ 15V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3B04N8TC
- zxmn3b04n8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2480pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3B04N8TA
- zxmn3b04n8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2480pF @ 15V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3B01FTA
- zxmn3b01fta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 30V 2A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.93nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 258pF @ 15V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A14FTA
- zxmn3a14fta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 448pF @ 15V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A04KTC
- zxmn3a04ktc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1890pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A05N8TA
- zxmn3a05n8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 2.5W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A01FTC
- zxmn3a01ftc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A03E6TA
- zxmn3a03e6ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A02X8TC
- zxmn3a02x8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 30V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A03E6TC
- zxmn3a03e6tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 30V SOT23-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A02X8TA
- zxmn3a02x8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A02N8TA
- zxmn3a02n8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A01FTA
- zxmn3a01fta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMN3A01E6TC
- zxmn3a01e6tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN 30V SOT23-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК