Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SUD19N20-90-E3
- sud19n20.90.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD17N25-165-E3
- sud17n25.165.e3
- VISHAY
- N-KANAL POWER-MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD15N15-95-E3
- sud15n15.95.e3
- VISHAY
- N-KANAL POWER-MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD08P06-155L-E3
- sud08p06.155l.e3
- VISHAY
- P-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUD06N10-225L-E3
- sud06n10.225l.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SUB75P03-07-E3
- sub75p03.07.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9000pF @ 25V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STY80NM60N
- sty80nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 74A MAX247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STY60NM60
- sty60nm60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 60A MAX247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 266nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STY60NM50
- sty60nm50
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 266nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STY60NK30Z
- sty60nk30z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 300V 60A MAX247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STY34NB50
- sty34nb50
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 34A MAX247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 223nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9100p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STY30NK90Z
- sty30nk90z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 26A MAX247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 490nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STY140NS10
- sty140ns10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 140A MAX247 Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 600nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STY100NS20FD
- sty100ns20fd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 100A MAX247 Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW9NK90Z
- stw9nk90z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 8A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2115pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW9NK70Z
- stw9nk70z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW90NF20
- stw90nf20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 83A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 164nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5736pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW9N150
- stw9n150
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1500V 8A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V (1.5kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК