Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STP80NF06
- stp80nf06
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3850pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP80NF10FP
- stp80nf10fp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 189nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP80NF10
- stp80nf10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 182nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP80NF03L-04
- stp80nf03l.04
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP80NF03L
- stp80nf03l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP80NE06-10
- stp80ne06.10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10000pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP80NE03L-06
- stp80ne03l.06
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80V TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8700pF @ 25V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP80N20M5
- stp80n20m5
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7NK80ZFP
- stp7nk80zfp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7NM60N
- stp7nm60n
- GLENAIR
- 0L POWER MOSFET DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7NM50N
- stp7nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7NM80
- stp7nm80
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 3.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 620pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7NK80Z
- stp7nk80z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1138
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7NK40ZFP
- stp7nk40zfp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 535p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7NK40Z
- stp7nk40z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 535pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7NB60
- stp7nb60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 7.2A TO-220 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1625
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7NK30Z
- stp7nk30z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 300V 5A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7N52DK3
- stp7n52dk3
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP7N52K3
- stp7n52k3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 525V 6.2A TO220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 3.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 525V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 90W · Moun
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP75NS04Z
- stp75ns04z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 33V 80A TO-220 Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 33V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1860pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК