Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STP9NK70Z
- stp9nk70z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9NK90Z
- stp9nk90z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 8A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2115pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9NK70ZFP
- stp9nk70zfp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9NK80Z
- stp9nk80z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9NK65Z
- stp9nk65z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1145
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9NK65ZFP
- stp9nk65zfp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9NK60ZFP
- stp9nk60zfp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9NK60ZD
- stp9nk60zd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9NK50ZFP
- stp9nk50zfp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9NK60Z
- stp9nk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP9NK50Z
- stp9nk50z
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP95N3LLH6
- stp95n3llh6
- GLENAIR
- TO-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP95N4F3
- stp95n4f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP95N04
- stp95n04
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP95N2LH5
- stp95n2lh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 25V 80A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1817pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP90N4F3
- stp90n4f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP8NM60D
- stp8nm60d
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 8A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP8NM50FP
- stp8nm50fp
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 550V 8A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 415pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP8NM50
- stp8nm50
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 550V 8A TO-220 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 415pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК