Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STP10NK60ZFP
- stp10nk60zfp
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP10NK50Z
- stp10nk50z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1219p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP10N62K3
- stp10n62k3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 620V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP10NK60Z
- stp10nk60z
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STP100NF04
- stp100nf04
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN4NF20L
- stn4nf20l
- GLENAIR
- 0L PMOS 200V 1A SOT223
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN4NF06L
- stn4nf06l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 340pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN4NF03L
- stn4nf03l
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN5PF02V
- stn5pf02v
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 2.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 412pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN3PF06
- stn3pf06
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN3NF06
- stn3nf06
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 315pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN3NF06L
- stn3nf06l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 340pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN3N40K3
- stn3n40k3
- ST Microelectronics
- SOT223-3/N-channel 400 V, 3 O, 1.8 A SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN2NF10
- stn2nf10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN2NE10L
- stn2ne10l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 345pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN2NE10
- stn2ne10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 305pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN1NK80Z
- stn1nk80z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN1NK60Z
- stn1nk60z
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 400mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN1NF10
- stn1nf10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 105pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК