Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STN1N20
- stn1n20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 206pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STN1HNK60
- stn1hnk60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 400mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL8NH3LL
- stl8nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 965pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL80N4LLF3
- stl80n4llf3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2530
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL75NH3LL
- stl75nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL70N4LLF5
- stl70n4llf5
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL65N3LLH5
- stl65n3llh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT6X5 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL55NH3LL
- stl55nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 965p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL60NH3LL
- stl60nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1810p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL50NH3LL
- stl50nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 965p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL26NM60N
- stl26nm60n
- ST Microelectronics
- POWERFLAT 8X8/N-channel 600 V, 0.160 O, 19 A ultra low gate charge MDmesh I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL15N3LLH5
- stl15n3llh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL20NM20N
- stl20nm20n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL16N65M5
- stl16n65m5
- ST Microelectronics
- POWERFLAT 8X8/N-channel 650 V, 0.270 O, 12 A PowerFLAT MDmesh V Power MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL150N3LLH6
- stl150n3llh6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 33A POWERFLAT5X6 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 37
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL150N3LLH5
- stl150n3llh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК