Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STL160N3LLH6
- stl160n3llh6
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL13NM60N
- stl13nm60n
- ST Microelectronics
- POWERFLAT 8X8/N-channel 600 V, 0.320 O, 10 A MDmesh II Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL120N2VH5
- stl120n2vh5
- ST MICRO
- 650
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STL100NH3LL
- stl100nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STK850
- stk850
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 30A POLARPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STK822
- stk822
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6060p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STK820
- stk820
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 142
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STK800
- stk800
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI8N65M5
- sti8n65m5
- ST Microelectronics
- I2PAK/N-channel 650 V, 0.56 O, 7 A MDmesh V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI4N62K3
- sti4n62k3
- ST Microelectronics
- I2PAK/N-channel 620 V, 1.7 O, 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI42N65M5
- sti42n65m5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI32N65M5
- sti32n65m5
- ST Microelectronics
- I2PAK/N-CHANNEL 650 V, 0.110 O, 24 A, MDMESH? V POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI21N65M5
- sti21n65m5
- ST Microelectronics
- I2PAK/N-channel 650 V, 0.150 O, 17 A MDmesh V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI24NM60N
- sti24nm60n
- ST Microelectronics
- I2PAK/N-channel 600 V, 0.168 O, 17 A MDmesh II Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI22NM60N
- sti22nm60n
- ST Microelectronics
- I2PAK/N-channel 600 V, 0.2 O, 16 A MDmesh II Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI30N65M5
- sti30n65m5
- ST Microelectronics
- I2PAK/N-channel 650 V, 0.125 O, 22 A, MDmesh V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI270N4F3
- sti270n4f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК