Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STI24NM65N
- sti24nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI16N65M5
- sti16n65m5
- ST Microelectronics
- I2PAK/N-channel 650 V, 0.230 O, 12 A MDmesh V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI16NM50N
- sti16nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI15NM60N
- sti15nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI13NM60N
- sti13nm60n
- ST Microelectronics
- I2PAK/N-channel 600 V, 0.28 O, 11 A MDmesh II Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI12N65M5
- sti12n65m5
- ST Microelectronics
- I2PAK/N-channel 650 V, 0.39 O, 8.5 A MDmesh V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI10N62K3
- sti10n62k3
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STI10NM60N
- sti10nm60n
- ST Microelectronics
- MOSFET 600V 0.55 OHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STH240N75F3-6
- sth240n75f3.6
- ST Microelectronics
- POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STH210N75F6-2
- sth210n75f6.2
- ST Microelectronics
- MOSFET 75V 0.0028 OHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STH180N10F3-2
- sth180n10f3.2
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STH15NB50FI
- sth15nb50fi
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH500V 10.5A ISOWATT218 Серия: PowerMESH™ ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STFW3N150
- stfw3n150
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V (1.5kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STFV4N150
- stfv4n150
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V (1.5kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STFW60N65M5
- stfw60n65m5
- ST Microelectronics
- TO 3F/N-channel 650 V, 0.049 O, 46 A MDmesh V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STFW4N150
- stfw4n150
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V (1.5kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STFV3N150
- stfv3n150
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220FH Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V (1.5kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF9NM60N
- stf9nm60n
- ST Microelectronics
- TO220FP/N-channel 600 V, 0.63 O, 6.5 A MDmesh II Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF9NM50N
- stf9nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 570p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК