Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STB80NF10T4
- stb80nf10t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 182nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB80NE03L-06T4
- stb80ne03l.06t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6500pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB75NH02LT4
- stb75nh02lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB7NK80ZT4
- stb7nk80zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1138p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB75NF20
- stb75nf20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3260pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB75NF75LT4
- stb75nf75lt4
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB70NF03LT4
- stb70nf03lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1440pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB75N20
- stb75n20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3260pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB70NF03L-1
- stb70nf03l.1
- ST MICRO
- N-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB70NFS03LT4
- stb70nfs03lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1440pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB70NH03LT4
- stb70nh03lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB70NF3LLT4
- stb70nf3llt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB70N10F4
- stb70n10f4
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB6NK60ZT4
- stb6nk60zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 905pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB6NK90ZT4
- stb6nk90zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB6NK60Z-1
- stb6nk60z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 905pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB60NE06L-16T4
- stb60ne06l.16t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB60NF06T4
- stb60nf06t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1810pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB60NF06LT4
- stb60nf06lt4
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК