Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STD12NF06L-1
- std12nf06l.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD12NF06-1
- std12nf06.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 315pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD12N65M5
- std12n65m5
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD120N4LF6
- std120n4lf6
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD120N4F6
- std120n4f6
- GLENAIR
- 0L N-CHAN 40V - DPAK - - (Terminal Finish: MATTE SN ANNEALED) - (Peak Solder Temp: 260 °C)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD11NM60N-1
- std11nm60n.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD11NM60ND
- std11nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A DPAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD11NM60N
- std11nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD110NH02LT4
- std110nh02lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 80A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4450pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD11NM50N
- std11nm50n
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD10PF06T4
- std10pf06t4
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET P-CH 60V 10A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD10NM60ND
- std10nm60nd
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD10NM50N
- std10nm50n
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD10PF06-1
- std10pf06.1
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 60V 10A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD10NM65N
- std10nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 9A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD10NM60N
- std10nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 8A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 50V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD10NF10T4
- std10nf10t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 13A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD100NH02LT4
- std100nh02lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 60A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3940pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD100NH03LT4
- std100nh03lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 60A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4100pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STD100N03LT4
- std100n03lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2060pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК