Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

STD12NF06L-1

  • std12nf06l.1
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD12NF06-1

  • std12nf06.1
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 315pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD12N65M5

  • std12n65m5
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD120N4LF6

  • std120n4lf6
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD120N4F6

  • std120n4f6
  • GLENAIR
  • 0L N-CHAN 40V - DPAK -  - (Terminal Finish: MATTE SN ANNEALED) - (Peak Solder Temp: 260 °C)

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD11NM60N-1

  • std11nm60n.1
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD11NM60ND

  • std11nm60nd
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 10A DPAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD11NM60N

  • std11nm60n
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 10A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD110NH02LT4

  • std110nh02lt4
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 24V 80A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4450pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD11NM50N

  • std11nm50n
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD10PF06T4

  • std10pf06t4
  • STMicroelectronics, ST
  • MOSFET P-CH 60V 10A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD10NM60ND

  • std10nm60nd
  • ST MICRO
  • EAR99

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD10NM50N

  • std10nm50n
  • ST MICRO
  • EAR99

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD10PF06-1

  • std10pf06.1
  • STMicroelectronics
  • MOSFET P-CH 60V 10A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD10NM65N

  • std10nm65n
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 650V 9A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD10NM60N

  • std10nm60n
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 600V 8A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 50V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD10NF10T4

  • std10nf10t4
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 100V 13A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD100NH02LT4

  • std100nh02lt4
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 24V 60A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3940pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD100NH03LT4

  • std100nh03lt4
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 30V 60A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4100pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STD100N03LT4

  • std100n03lt4
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2060pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь