Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STD100N3LF3
- std100n3lf3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2060pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB9NK90Z
- stb9nk90z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2115pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB9NK70ZT4
- stb9nk70zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB9NK50ZT4
- stb9nk50zt4
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB9NK60ZDT4
- stb9nk60zdt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB9NK70Z-1
- stb9nk70z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB9NK60ZT4
- stb9nk60zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB95N3LLH6
- stb95n3llh6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB8NM60D
- stb8nm60d
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB8NM60T4
- stb8nm60t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB85NF55T4
- stb85nf55t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB85NF3LLT4
- stb85nf3llt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 85A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB85NF55LT4
- stb85nf55lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4050pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB80PF55T4
- stb80pf55t4
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 258nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB80NF55L-06T4
- stb80nf55l.06t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 136nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4850pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB80NF55-08T4
- stb80nf55.08t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3850pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB80NF55-06T4
- stb80nf55.06t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 189nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB80NF55-08-1
- stb80nf55.08.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3850pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB80NF03L-04T4
- stb80nf03l.04t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК