Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STB230NH03L
- stb230nh03l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB22NS25ZT4
- stb22ns25zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB21NM60ND
- stb21nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB21NM60N-1
- stb21nm60n.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB21NM60N
- stb21nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB21NM50N-1
- stb21nm50n.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB21NM50N
- stb21nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB20NM50FDT4
- stb20nm50fdt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB20NM60-1
- stb20nm60.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB20NM60D
- stb20nm60d
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB20NM50-1
- stb20nm50.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB20NM60T4
- stb20nm60t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB20NM50T4
- stb20nm50t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB20NK50ZT4
- stb20nk50zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 119nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB200NF04-1
- stb200nf04.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB200NF04T4
- stb200nf04t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB200NF04L-1
- stb200nf04l.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB200N4F3
- stb200n4f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК