Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STB200NF04L
- stb200nf04l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB200NF03T4
- stb200nf03t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4950pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB19NF20
- stb19nf20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB190NF04T4
- stb190nf04t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB18NM60N
- stb18nm60n
- GLENAIR
- 0L N-CHAN 600V 12A TO220 - - (Terminal Finish: MATTE SN ANNEALED) - (Peak Solder Temp: 245 or 300 °C)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB18NM80
- stb18nm80
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2070pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB18N55M5
- stb18n55m5
- ST Microelectronics
- D2PAK/N-channel 550 V, 0.18 O, 13 A, MDmesh V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB180N55F3
- stb180n55f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB185N55F3
- stb185n55f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB16NS25T4
- stb16ns25t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1270p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB16PF06LT4
- stb16pf06lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB16NM50N
- stb16nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB16NK65Z-S
- stb16nk65z.s
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2750p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB16NF06LT4
- stb16nf06lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 345pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB160N75F3
- stb160n75f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6750pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB15NM60ND
- stb15nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB160NF3LLT4
- stb160nf3llt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB15NM60N
- stb15nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК