Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STB15NK50ZT4
- stb15nk50zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 106nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2260pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB14NK60ZT4
- stb14nk60zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB155N3LH6
- stb155n3lh6
- ST Microelectronics
- D2PAK/N-channel 30 V, 2.4 mO , 80 A,STripFET VI DeepGATE Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB155N3H6
- stb155n3h6
- ST Microelectronics
- D2PAK/N-channel 30 V, 2.5 mO , 80 A,STripFET VI DeepGATE Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB150NF55T4
- stb150nf55t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4400pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB14NK50ZT4
- stb14nk50zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB14NK50Z-1
- stb14nk50z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB13NM50N-1
- stb13nm50n.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 50V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB140NF55T4
- stb140nf55t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 142nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5300pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB13NK60ZT4
- stb13nk60zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2030pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB140NF75T4
- stb140nf75t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 70A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 218nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5000pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB13NM60N
- stb13nm60n
- GLENAIR
- 0L PMOS 600V0.55OHM D2PAK - - (Terminal Finish: MATTE SN ANNEALED) - (Peak Solder Temp: 245 or 300 °C)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB12NM60N-1
- stb12nm60n.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB12NM50FDT4
- stb12nm50fdt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB12NK80ZT4
- stb12nk80zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB12NM50N
- stb12nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB12NM50T4
- stb12nm50t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB130NS04ZBT4
- stb130ns04zbt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK Серия: MESH OVERLAY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 33V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК