Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для SSM1N45BTF

SSM1N45BTF

  • ssm1n45btf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 450V 500MA SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SSH70N10A

SSH70N10A

  • ssh70n10a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 70A TO-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4870pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SSH22N50A

SSH22N50A

  • ssh22n50a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 236nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5120pF @ 25V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW52N50C3

SPW52N50C3

  • spw52n50c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 560V 52A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 290nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW47N65C3

SPW47N65C3

  • spw47n65c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 255nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7000pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW47N60CFD

SPW47N60CFD

  • spw47n60cfd
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 46A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 29A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 322nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 46A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7700pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW35N60C3

SPW35N60C3

  • spw35n60c3
  • Infineon Technologies, Infineon
  • MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 21.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW47N60C3

SPW47N60C3

  • spw47n60c3
  • Infineon Technologies, Infineon
  • MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 320nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW35N60CFD

SPW35N60CFD

  • spw35n60cfd
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118 mOhm @ 21.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 212nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW32N50C3

SPW32N50C3

  • spw32n50c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 560V 32A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW24N60C3

SPW24N60C3

  • spw24n60c3
  • Infineon Technologies, Infineon
  • MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW24N60CFD

SPW24N60CFD

  • spw24n60cfd
  • Infineon Technologies, INF
  • MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 15.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 143nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW20N60C3

SPW20N60C3

  • spw20n60c3
  • Infineon Technologies, Infineon
  • MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW20N60S5

SPW20N60S5

  • spw20n60s5
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 103nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW21N50C3

SPW21N50C3

  • spw21n50c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 560V 21A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW20N60CFD

SPW20N60CFD

  • spw20n60cfd
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 13.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW17N80C3A

SPW17N80C3A

  • spw17n80c3a
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 177nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2320pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW17N80C3

SPW17N80C3

  • spw17n80c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 177nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2320pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW16N50C3

SPW16N50C3

  • spw16n50c3
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 560V 16A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для SPW15N60CFD

SPW15N60CFD

  • spw15n60cfd
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 9.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 182

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь