Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STB120NF10T4
- stb120nf10t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 233nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB11NM80T4
- stb11nm80t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB11NM60-1
- stb11nm60.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB11NM60T4
- stb11nm60t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB11NM60FDT4
- stb11nm60fdt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB11NK50ZT4
- stb11nk50zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1390pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB11NK40ZT4
- stb11nk40zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 930pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB10NK60Z-1
- stb10nk60z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB11N52K3
- stb11n52k3
- ST Microelectronics
- D2PAK/N-channel 525 V, 0.41 O, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB10NK60ZT4
- stb10nk60zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB100NF03L-03-1
- stb100nf03l.03.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB100NH02LT4
- stb100nh02lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2850pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB100NF03L-03T4
- stb100nf03l.03t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 88nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STB100NF04T4
- stb100nf04t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSN1N45BTA
- ssn1n45bta
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSP45N20B_FP001
- ssp45n20b.fp001
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 35A TO-220 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 173nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSN1N45BBU
- ssn1n45bbu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM3K303T(TE85L,F)
- ssm3k303t.te85l.f
- TOSHIBA
- N-Channel Power Mosfet *SOT23*
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM3K302T(TE85L,F)
- ssm3k302t.te85l.f
- TOSHIBA
- N-Channel Power Mosfet *SOT23*
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM3J304T(TE85L,F)
- ssm3j304t.te85l.f
- TOSHIBA
- P-Channel Power Mosfet *SOT23*
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК